OTS TAR HS-200有機鍍錫工藝

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更新	2012-07-24 10:12

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上次登錄 2012-06-28 •
劉萍萍 (女士)

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詳細說明

OTS TAR HS-200有機鍍錫工藝

一、簡介：

OTS TAR HS-200為一低泡沫性的有機酸電鍍工藝，能再高速和低俗下電鍍出沉積均勻、多邊形大晶粒純錫鍍層。

特別設計用于高速片狀式或卷帶式電鍍設備，該工藝非常適用于半導體引線框架和連接器。此工藝可以通過改變操作參數用于低速電鍍。

二、優點與特征：

*環保；*無鉛鍍層； *低應力；

*優越的焊錫性能； *低泡沫性電鍍液；

*均勻緞狀啞光外觀； *大尺寸多邊形結晶（直徑4-5微米）；

三、鍍層特性：

*結構與外觀：大結晶，緞狀—啞光

*合金比例： 100%錫

*熔點： 232°C（450°F）

四、所需材料

OTS TAR HS-200 Ⅰ# 添加劑，維持細致及均勻的鍍層；

OTS TAR HS-200 Ⅱ# 添加劑，維持低電流密度區域的覆蓋能力，補充量為每1000安培小時20-30毫升，或保持濃度在3-7 ml/L；

OTS TAR HS-200 錫濃縮液，提供錫離子，每添加3.33ml/L的錫濃縮液可以提高錫濃度1g/L；

OTS TAR HS-200 C酸液，使槽液溫度，每添加10ml/L酸液，鍍液的酸濃度會提升1%；

OTS TAR HS-200 AO濃縮液，是一種抗氧化劑，以減低二價錫的氧化。

五、設備：

電鍍缸：聚乙烯、聚丙烯、CPVC或#316L不銹鋼

加熱器：鈦、石英或外套聚四氟乙烯加熱器

篩檢程式：用1微米的聚丙烯濾芯連續過濾

陽極：裝在鈦藍或#316L不銹鋼藍中的純錫球或錫塊、純錫板

備注：陽極藍必須總是裝滿陽極，才能有效提供均勻電流分布而保持品質穩定。

六、配槽程序

1）添加去離子水于鍍槽中

2）加入OTS TAR HS-200 C酸液，攪拌均勻

3）加入OTS TAR HS-200錫濃縮液（300g/L），攪拌均勻

4）加入OTS TAR HS-200 Ⅰ#添加劑，攪拌均勻

5）加入OTS TAR HS-200Ⅱ#添加劑，攪拌均勻

6）加入OTS TAR HS-200 AO抗氧化劑，攪拌均勻

7）添加去離子水至控制液位。

		高速槽液配制	中速槽液配制	低速槽液配制
藥品		5-30安培/平方分米	10-15安培/平方分米	0.5-5安培/平方分米
去離子水		570 ml	600 ml	580ml
OTS TAR HS-200錫濃縮液（300 g/LSn²⁺）		217 ml	133ml	83ml
OTS TAR HS-200 C 酸液		80 ml	130ml	235ml
OTS TAR HS-200 Ⅰ#添加劑		100 ml	100ml	75ml
OTS TAR HS-200 Ⅱ#添加劑		5 ml	10ml	4ml
OTS TAR HS-200 AO抗氧化劑		10 ml	10ml	10ml
	添加去離子水至指定容積

參數	高速操作范圍	建議范圍	中速操作范圍	建議范圍	低速操作范圍	建議范圍
二價錫	55-75 g/L	65 g/L	30-50 g/L	40 g/L	20-30 g/L	25 g/L
OTS TAR HS-200 C 酸液	175-245 ml/L	210 ml/L	175-245 ml/L	210 ml/L	270-300 ml/L	285ml/L
OTS TAR HS-200 Ⅰ#添加劑	70-130 ml/L	100 ml/L	70-130 ml/L	100 ml/L	50-100 ml/L	75 ml/L
OTS TAR HS-200 Ⅱ#添加劑	2-8 ml/L	5 ml/L	5-15 ml/L	10 ml/L	2-6 ml/L	4 ml/L
OTS TAR HS-200 AO抗氧化劑	5-20 ml/L	10 ml/L	5-20 ml/L	10 ml/L	5-20 ml/L	10 ml/L
溫度	45-55℃	50℃	35-45℃	40℃	25-35℃	30℃
陰極電流密度	5-50 A/d㎡	按實際而定	10-15 A/d㎡	按實際而定	0.5-5 A/d㎡	按實際而定
陽極與陰極面積比	至少1:1
攪拌	陰極移動及中速鍍液回圈攪拌
陰極效率	95-100%
沉積速率	在10A/d㎡下每分鐘5.0微米		在5A/d㎡下每分鐘2.5微米		在1A/d㎡下每分鐘 0.5微米

注意：

（1）OTS TAR HS-200錫濃縮液（300克/公升）（濃原液）中含有OTS TAR HS-200 C酸液，故它們亦對鍍液中OTS TAR HS-200酸液濃度構成影響。

（2）在槽液配置前，鍍槽及輔助設備均需徹底清洗，并以70-140毫升/公升的OTS TAR HS-200 C酸液作為最后之活化步驟，此步驟對新設備或曾作其他用途的設備，如氟硼酸系統，尤其重要。

附注：

1）在0.5微米厚的鎳底層上鍍OTS TAR HS-200可有效防止晶須的產生；

2）鉛雜質超過100ppm將會產生危害，隨著鉛含量的增加，高電流密度區域鍍層會變得越來越暗，對鉛污染的容忍度取決于電流密度的高低，電流密度越低，對鉛污染的容忍度越低

3）鉛污染來自于