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線切割的基本結構很簡單，一根小直徑的鋼線繞在幾個導輪上使鋼線形成梯形的形狀。導輪上有凹槽能確保鋼線以一定距離分隔開。一根連續的鋼線分別繞在導輪的一個個凹槽上，形成許多相同間隔的切割表面。線之間的空間決定了想要的硅片厚度。鋼線的移動由線軸控制，因為整個系統只有一根鋼線。線的兩端分別繞在線軸上，晶棒慢慢向上（或向下）移動，穿過鋼線，鋼線能從晶棒上同時切割下許多硅片。

　多線切割技術是硅片加工行業、太陽能光伏行業標志性的革新，它替代了原有的內圓切割設備，是目前采用最廣泛的硅片切割技術。硅片多線切割技術與其他技術相比有效率高，產能高，所切晶片與內圓切片工藝相比具有彎曲度（ＢＯＷ）、翹曲度（ＷＡＲＰ）小，平行度（ＴＡＰＥＲ）好，總厚度公差（ＴＴＡ）離散性小，刃口切割損耗小，表面損傷層淺，晶片表面粗糙度小等優點。但是也存在切割片平均厚度誤差較大（相比于內圓切割），切割過程智能檢測不易實現，切割過程成功率要求較高，風險較大，一旦斷絲而不采取相應措施時會造成整體的單晶硅棒浪費，不能夠實現單片的質量監控，一次切割完成后才能夠檢測一批圓片的質量并且圓片的質量也不相同等缺點。